新声研发团队在IEEE IUS 2024发表D-BAW热稳定性突破性研究：干膜材料创新助力5G射频器件可靠性升级

2024年9月22-26日，在中国台北举行的IEEE IUS 2024国际会议上，新声半导体研发团队发表了题为 《A Comprehensive Thermal Stability Analysis of D-BAW Structures Employing Dry Film Bonding Materials》 的研究论文，并做口述报告。

04-17

新声半导体突破性成果亮相IEEE IUS 2024国际会议：谐振器厚度补偿技术显著提升D-BAW晶圆均匀性与良率

2024年9月22-26日，在中国台北举行的IEEE IUS 2024国际会议上，新声半导体研发团队发布了题为 《D-Baw Uniformity Improvement by Resonator Thickness Compensation》 的重要研究成果，并做口述报告。

04-17

IEEE IUS 2024重磅发布：创新结构使滤波器插入损耗降低1dB，Q值显著提升

（中国·台北，2024年9月22日-26日），新声半导体研发团队在IEEE IUS 2024发布了题为 《Impact of a Trap-Rich Layer on the Performance of D-BAW Resonators》突破性研究成果，并做口述报告。

04-17

重磅：新声半导体IEEE IUS 2024发布革命性玻璃晶圆封装方案，破解滤波器"性能-成本"悖论

2024年9月22-26日，在中国台北举行的IEEE IUS 2024国际会议上，新声半导体发布了标题为《Innovative Glass-Encapsulation for Double-Side Processed BAW Filters》的论文，并做口述报告。

04-17

IEEE IUS 2024发布优化释放孔间隙设计，新声半导体突破DBAW滤波器ESD防护难题

（中国·台北，2024年9月22日-26日）新声半导体在IEEE IUS 2024上发布了标题为《Improving ESD Robustness in DBAW Filters via Optimized Release Hole Clearance Design》的突破性研究成果，并做口述报告。

04-17

IC-MAM 2024首发——新声半导体发布首款绝缘体上BAW滤波器，突破5G射频性能边界

2024年5月13-15日，在中国成都召开的2024微波声学与力学国际会议（IC-MAM）上，新声半导体发布了标题为《Wide-band and High-rejection RF Filters for 5G Applications Using BAW-on-insulator Technology》（基于绝缘体上BAW技术的5G宽带高抑制射频滤波器）的成果，并做口述报告。

04-17

三年崛起的滤波器黑马：新声半导体荣获WICA两项大奖

在世界集成电路协会（WICA）举办的2024-2025全球半导体市场峰会上，新声半导体斩获“2024中国半导体新锐企业50强”和“2024中国国产滤波器行业年度最佳产品”两项殊荣。

12-06

新声半导体多款滤波器通过AEC-Q200车规认证

新声半导体成为国内首家通过车规级测试认证的滤波器企业

10-15

国产滤波器龙头有“新声”，荣获世界半导体大会两项重奖

国产滤波器龙头——深圳新声半导体有限公司（NEWSONIC）走到台前，在2024集成电路高质量发展论坛上荣获“年度半导体市场最具成长力企业”“年度半导体市场创新产品”两大奖项，备受关注。

06-06

BAW的晶圆级封装有哪几种形式？

BAW滤波器的封装与传统IC封装存在诸多不同，且工艺更加复杂。

05-27

FBAR是如何诞生的？

FBAR（Film Bulk Acoustic Resonator）作为一种新型的滤波器技术平台，具有高功率耐受、小尺寸、低插入损耗、高带外抑制和可用于超高频等优点

05-20

深圳新声半导体有限公司入驻深圳新一代产业园

5月27日上午，深圳新声半导体有限公司（以下简称：新声半导体）正式入驻深圳新一代产业园，并举行了入驻乔迁仪式。

05-31