IEEE IUS 2024重磅发布：创新结构使滤波器插入损耗降低1dB，Q值显著提升

论文首次揭示了“陷阱富集层”对载流子泄漏现象的显著抑制作用。该特性直接促使谐振器品质因数（Q值）获得有效提升，并显著优化了滤波器的插入损耗性能。实验数据明确显示，在相同条件下，采用陷阱富集结构的FBAR滤波器其插入损耗绝对值较无此结构滤波器降低了1dB，有力印证了陷阱富集层在提升器件整体性能中的关键作用。

新声半导体已围绕该技术布局多项国内外专利，截至目前，新声半导体已申请专利超过500项，已授权的发明专利超过160项，是国内唯一没有专利侵权风险，且大规模量产FBAR滤波器的厂商，并在D-BAW®生产工艺平台、 TC-SAW工艺及结构专利等方面进行了全面的专利布局，构建技术护城河。

关于新声半导体

深圳新声半导体有限公司自2020年3月启动筹备，2021年3月正式成立，是国家重点扶持的高新技术企业。公司在北京和上海分别设有研发中心，同时在深圳和西安设立了销售与技术支持中心，并在苏州设有分支机构。新声半导体致力于设计与销售各类滤波器，包括BAW、SAW、TC-SAW、TF-SAW、IPD等，提供从滤波器、双工器、多工器到模组的全系列产品，覆盖6GHz以下全频段。

关于IEEE IUS

IEEE IUS （IEEE International Ultrasonics Symposium，国际超声研讨会），是超声技术领域最具影响力的国际学术会议之一。由 IEEE Ultrasonics, Ferroelectrics, and Frequency Control Society (UFFC) 主办，属于IEEE的专业分会之一。是超声领域发布前沿研究成果、交流技术进展的核心平台，许多突破性技术在此首次公开。领域覆盖：聚焦超声技术及其应用，包括医学超声、工业超声、声学传感器、压电材料、微纳声学器件等。