新声半导体携D-BAW双面键合工艺亮相IMFW 2026
2026年2月7-9日，2026年国际微波滤波器会议（IMFW 2026）在中国香港顺利举办，作为射频前端领域的创新领军企业，新声半导体（NEWSONIC）受邀参展，公司CTO冯端博士亦受邀出席并发表演讲。
IMFW由IEEE微波理论与技术协会（MTT-S）主办，是全球微波滤波器领域连接工业实践与学术前瞻的重要纽带。本届会议首次在亚洲举行，重点关注移动通信向5G-Advanced及6G演进过程中，射频器件面临的频率提升、带宽扩展及高度集成化等关键挑战。
本次会议的声学波谐振器（AWR）工业分论坛上，新声半导体CTO冯端博士发表题为《基于双面工艺技术的5G/6G应用射频滤波器》的演讲中，他重点介绍了新声半导体自主研发的D-BAW®“双面工艺技术”。通过对BAW滤波器底层制造流程的系统性重构，来有效解决传统方案在应对高频段、大带宽需求时的性能损耗难题，显著提升器件的品质因数与热稳定性。
此外，冯端博士还分享了新声半导体基于有机键合（Oragnic Bonding）和玻璃基板的创新型封装方案，从而实现成本优化和性能提升。基于这一系列，新声半导体展示了其在5G-Advanced及未来6G应用场景下，兼具卓越性能与高度集成优势的射频前端解决方案。
此次亮相IMFW 2026，既彰显了新声半导体在射频前端领域的创新实力与技术积淀，也体现了冲击全球高端射频市场的坚定决心。未来，新声半导体将继续深耕底层工艺创新，携手产业链合作伙伴，共同推动全球通信技术的持续进化。
关于新声半导体 (NEWSONIC)
新声半导体总部位于中国深圳，是一家专注于先进声学滤波器及射频前端模块（FEM）设计与制造的全球性创新企业。该公司专精于涵盖 BAW、SAW、TC-SAW、TF-SAW 及 IPD 等多项核心技术，为全球客户提供超过 100 种滤波器产品及集成解决方案，其中包括 DiFEM和L-PAMID等模组产品。
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