新声研发团队在IEEE IUS 2024发表D-BAW热稳定性突破性研究：干膜材料创新助力5G射频器件可靠性升级

2024年9月22-26日，在中国台北举行的IEEE IUS 2024国际会议上，新声半导体研发团队发表了题为 《A Comprehensive Thermal Stability Analysis of D-BAW Structures Employing Dry Film Bonding Materials》 的研究论文，并做口述报告。

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新声半导体多款滤波器通过AEC-Q200车规认证

新声半导体成为国内首家通过车规级测试认证的滤波器企业

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新声半导体突破性成果亮相IEEE IUS 2024国际会议：谐振器厚度补偿技术显著提升D-BAW晶圆均匀性与良率

2024年9月22-26日，在中国台北举行的IEEE IUS 2024国际会议上，新声半导体研发团队发布了题为 《D-Baw Uniformity Improvement by Resonator Thickness Compensation》 的重要研究成果，并做口述报告。

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